在前道的晶圆制造中，直接对晶圆进行封装，封装好后再切割切割成单一芯片，相对于传统封装将晶圆切割成单个芯片后再进行封装，WLP 技术在封装成本和生产效率等方面具有明显的优势。
与传统的的引线键合方式相比，其主要优点就是封装体积小，互联路径短。
1、涂覆聚合物薄膜层，加强芯片的钝化层，起到应力缓冲的作用。
2、RDL重布线层是对芯片的铝/铜焊区位置重新布局，使新焊区满足对焊料球最小间距的要求，并使新焊区按照阵列排布。光刻胶作为选择性电镀的模板以规划RDL的线路图形，最后湿法蚀刻去除光刻胶和溅射层。
3、涂覆第二层聚合物薄膜，是圆片表面平坦化并保护RDL层。在第二层聚合物薄膜光刻出新焊区位置。
4、凸点下金属层（UBM）采用和RDL一样的工艺流程制作。
5、植球。焊膏和焊料球通过掩膜板进行准确定位，将焊料球放置于UBM上，放入回流炉中，焊料经回流融化与UBM形成良好的浸润结合，达到良好的焊接效果。
晶圆烘烤对温度，温度的均匀性，烘箱内部洁净度以及氧气浓度的控制都有很多高的要求。
