光刻十步工艺如下：硅片表面准备—光刻胶涂布—前烘（软烘）—对准、曝光—显影—硬烘（后烘）—显影目测—刻蚀—清除残留光刻胶—目检。

    硅片在涂布光刻胶之后，为了增强光刻胶与硅片之间的黏附，去除光刻胶中的大部分溶剂以及消除光刻胶膜内应力，需要进行短暂的烘烤处理。因处于光刻工艺的前端烘烤工艺，简称前烘，由于烘烤时间短，此时光刻胶还处于较软的状态，所以又称为软烘。

    前烘的温度和时间具体视光刻胶的产品要求及工艺条件而定，目前主要工艺要求控制：1、温度，在85至120℃之间，温度过高，会使光刻胶翘曲硬化，造成显影不净，图形的分辨率下降，抗蚀能力下降。升温速度需要控制，如升温过快，表面干燥得过快，内部溶剂来不及挥发，易造成光刻胶胶膜发泡而产生孔洞，导致接触不良，使显影或蚀刻时产生浮胶。2、时间，时间在30至90s。原则上温度越高，时间越长，光刻胶与硅片的黏附度越好，但时间过长，会造成容积的过度挥发。

    涂胶前，光刻胶中通常有70%以上的溶剂，旋转涂胶后溶剂减少到10%～20%，前烘后溶剂的含量则进一步减少至7%左右，相应地，光刻胶的厚度也略微降低。前烘后，光刻胶仍然保持“软”的状态，所以又称软烘。

    如果光刻胶没有前烘而直接进行对准、曝光，将可能出现以下问题：（1）光刻胶薄膜发黏并易受颗粒玷污；（2）光刻胶在旋转涂胶是产生的膜内应力将导致粘附性问题；（3）溶剂含量过高导致在显影时由于溶解差异，很难分别曝光和未曝光的光刻胶；（4）改变胶层厚度使光刻胶暴露在光刻机的UV光下；（5）光刻胶挥发的气体可能玷污光学系统的透镜。

    前烘的设备主要有前烘热板和前烘烘箱两种：

    热板对涂好胶的硅片进行加热处理，光刻胶由硅片和光刻胶的接触面向外加热，受热均匀，可以采用自动轨道系统，在加热之后，自动倒入冷板进行冷却。

    前烘烘箱是将涂好胶的硅片直接放入烘箱内，通过热风循环使光刻胶溶剂挥发。产能大，一次可以放很多，但是均匀性相对差。