如上所述，半导体市场早已发掘到氧化镓材料广阔的前景，纷纷涌入氧化镓材料领域。在材料特性方面，氧化镓禁带宽度可高达4.9eV，远远高于碳化硅（3.26eV）和氮化镓（3.4eV）等半导体材料。与硅（1.1eV）相比，氧化镓的禁带宽度是前者的4.5倍。 从功率半导体特性来看，与前代半导体材料相比，氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻，从而能量损耗更低，而功率转换效率更高。此外，氧化镓材料还拥有更高的热稳定性与深紫外光电特性。

　　在氧化镓材料的制备中，可以通过掺杂载流子来提高氧化镓材料的导电性。在掺杂过程中，还可以在晶体中加入定量的杂质，以控制半导体载流子的浓度。具体来说，可以通过离子注入、退火等工艺在晶体中添加或去除自由电子，使电荷自由移动。另一方面，在离子注入和外延生长期间，氧化镓材料可以更精确地限定晶体管尺寸并产生各种器件拓扑。 传统上，氧化镓的制备需要贵金属铱容器来加热和熔化原料，从而产生氧化镓晶体。抛开晶体质量不稳定等问题，仅容器一项，生产直径15厘米的氧化镓晶体成本就高达153万-256万元。最新研究表明，将贵金属铱容器替换为水冷铜容器，将电磁波频率提高100倍，熔化即可得到约5cm的氧化镓晶体，大大降低了制造成本，提高了成品率。 　　氧化镓具有明显的性能优势，但仍存在明显的缺点和应用瓶颈。其中热导率低和P型掺杂难的问题是氧化镓的两大软肋。氧化镓的热导率只有碳化硅的十分之一，硅的五分之一。这意味着基于氧化镓的半导体器件存在很大的散热问题，业界一直在寻找更好的方法来优化和改善这一问题。 根据IEEE发表的一篇文章，提高器件的热阻或者将热量分流到散热器，可以克服器件的散热问题。对于前者，日本国立信息通信技术研究所东京实验室已经取得了成果。通过在厚度约10微米的氧化镓晶片背面键合P型多晶碳化硅，可以提高器件的热阻。对于集中热量的设备，美国空军研究实验室的研究人员通过模拟接触电极和使用电介质填料将热量转移到散热器。从国内的技术来看，西安电子科技大学韩根全教授团队也发布了一种通过剥离技术剥离氧化镓，并将其键合到导热性能优异的材料上加工后端器件的散热方法。